我在两本书上看到了势垒电容的计算公式不一样。哪一个会是对的。求解?
我在两本上看到了势垒电容的计算公式不一样。 哪一个会是对的。求解释。公式见图：
第一个是正确的。 第二个式子是真空中平板电容的公式。其公式中的e是真空介电常数。 而在算势垒电容时，并不是在真空中，必须乘上半导体的介电常数，也就是第一个式子中的e。 第一个式子中的4*pi与真空介电常数有关。