原子结构的问题如果用高压使半导体原子（硅原子为例）紧密堆积后，能
如果用高压使原子（硅原子为例）紧密堆积后，能不能使硅原子最外层电子都变成导电的自由电子？ 谢谢
紧密堆积后的晶格间距很小，由布洛赫定理原子能级展成能带。而且晶格间距越小带宽越宽，禁带宽度减小。但是对于半导体Si而言没有激发情况下，所有电子均处在价带，被束缚在原子附近，不能形成自由电子。除非有办法能使堆积更加紧密，晶格间距继续减小，禁带宽度会继续减小直到消失，这时绝缘体会转变为导体，电子可直接形成自由电子。但是貌似目前还没有实现。